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论文类型：期刊论文

发表时间：2014-01-15

发表刊物：无机材料学报

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus、SCIE

卷号：29

期号：01

页面范围：103-107

ISSN号：1000-324X

关键字：ZnO;石墨;光致发光;高功率光电子器件

摘要：本研究成功地在石墨衬底上制备了低维ZnO材料,即一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜。采用X射线衍射、场发射扫描电镜、光致发光谱和反射谱等测量技术对石墨衬底上制备的低维ZnO纳米材料的晶体结构、形貌和光学特性进行了表征。结果发现在室温条件下,准一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜都表现出了较好的近带边发射,基本探测不到由杂质和缺陷等引起的深能级发光,并且这种低维ZnO材料/石墨衬底复合结构在300~800 nm光谱范围内具有较低的反射率。本实验结果对于ZnO基光电子器件性能的提高以及在太阳能电池领域的应用具有重要意义。