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论文类型：期刊论文

发表时间：2015-02-15

发表刊物：无机材料学报

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、SCIE、Scopus

卷号：30

期号：02

页面范围：214-218

ISSN号：1000-324X

关键字：无机–有机异质结;纳米Si/PCBM;阻抗谱;瞬态光伏谱

摘要：本研究采用平面硅与纳米硅分别与旋涂法生长的[6,6]-苯基C61-丁酸甲酯(PCBM)形成有机–无机杂化异质结,对比研究了两种异质结界面电学特性的差异。结果显示,平面Si/PCBM和纳米Si/PCBM两种异质结都表现出明显的整流特性,但相对于平面Si/PCBM异质结,纳米Si/PCBM异质结有较大的导通电压和较小的电流密度。为了深入研究导致这种差异的相关物理机制,通过阻抗谱(IS)表征技术进一步研究了两种异质结因界面变化而产生的电阻、电容的变化趋势。阻抗测试分析表明,Si/PCBM异质结界面存在的大量缺陷致使寄生效应进一步增大,影响了器件中电荷的输运。