边继明

个人信息Personal Information

教授

博士生导师

硕士生导师

性别:男

毕业院校:中科院上海硅酸盐研究所

学位:博士

所在单位:物理学院

学科:微电子学与固体电子学. 凝聚态物理

办公地点:大连理工大学科技园C座301-1办公室

联系方式:E-mail:jmbian@dlut.edu.cn.

电子邮箱:jmbian@dlut.edu.cn

扫描关注

论文成果

当前位置: 边继明 >> 科学研究 >> 论文成果

Nitride-oxide based p-n heterojunctions synthesized by depositing VO2film on p-GaN/sapphire substrate

点击次数:

论文类型:会议论文

发表时间:2015-10-30

页面范围:162-163

关键字:Vanadium oxide;p-GaN;p-n heterojunctions;RF magnetron sputtering