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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2009-02-15
Journal:应用激光
Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD
Volume:29
Issue:1
Page Number:10-13,33
ISSN No.:1000-372X
Key Words:薄硅片;激光弯曲;伏安特性
Abstract:对不同加工参数下脉冲激光弯曲后的薄片硅材料的伏安特性进行了分析.通过对样品电流(I)-电压(V)特性的测量,研究了脉冲频率、扫描次数和扫描路径对薄硅片电学性质的影响.结果表明,在一定的加工参数范围内,通过降低脉冲频率,减少扫描次数,优化扫描路径都有利于降低弯曲硅片的电阻率.
