Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2010-10-15

Journal: 人工晶体学报

Included Journals: Scopus、CSCD、ISTIC、PKU、EI

Volume: 39

Issue: 5

Page Number: 1119-1123

ISSN: 1000-985X

Key Words: ZnO薄膜;磁控溅射;结晶质量;退火处理

Abstract: 利用磁控溅射法于500 ℃、550 ℃、600 ℃和650 ℃下在Al2O3(001)衬底上生长ZnO薄.对生长的ZnO薄膜后分别进行了800 ℃退火和1000 ℃退火处理.利用X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪和透射谱仪对薄膜的结构、电学和光学性质进行了研究,结果表明合适的生长温度和退火温度能够提高ZnO薄膜的结晶质量和性能.