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个人信息Personal Information
副教授
硕士生导师
性别：女
毕业院校：北京大学
学位：博士
所在单位：集成电路学院
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：大连理工大学开发区校区信息楼211-1
电子邮箱：hqzhang@dlut.edu.cn
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测试参数对掺As ZnO微米线光致发光谱的影响
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论文类型：期刊论文
发表时间：2014-11-03
发表刊物：半导体技术
收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD
卷号：39
期号：11
页面范围：867-871,877
ISSN号：1003-353X
关键字：氧化锌;水热法;光致发光;曝光时间;狭缝
摘要：光致发光谱是发光材料在特定光源照射下发出的不同波长光的强度分布,可广泛应用于材料的光学及掺杂特性研究领域,是一种非破坏性的测试技术.利用水热法生长了ZnO微米线,用闭管热扩散方法进行了掺As处理,获得掺As的ZnO微米线,并对掺As的ZnO微米线进行光致发光谱测试.通过改变两个测试参数:CCD探测器的曝光时间及光入射狭缝的宽度,研究这两个参数的变化对测试谱线的影响.测试结果表明只有在适合的曝光时间及狭缝宽度时才能较充分地反映材料的特性.