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个人信息Personal Information
副教授
硕士生导师
性别：女
毕业院校：北京大学
学位：博士
所在单位：集成电路学院
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：大连理工大学开发区校区信息楼211-1
电子邮箱：hqzhang@dlut.edu.cn
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生长和退火温度对磁控溅射法制备的ZnO薄膜性能的影响
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论文类型：期刊论文
发表时间：2010-10-15
发表刊物：人工晶体学报
收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus
卷号：39
期号：5
页面范围：1119-1123
ISSN号：1000-985X
关键字：ZnO薄膜;磁控溅射;结晶质量;退火处理
摘要：利用磁控溅射法于500 ℃、550 ℃、600 ℃和650 ℃下在Al2O3(001)衬底上生长ZnO薄.对生长的ZnO薄膜后分别进行了800 ℃退火和1000 ℃退火处理.利用X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪和透射谱仪对薄膜的结构、电学和光学性质进行了研究,结果表明合适的生长温度和退火温度能够提高ZnO薄膜的结晶质量和性能.