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黄明亮
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教授   博士生导师   硕士生导师

性别: 男

毕业院校: 大连理工大学

学位: 博士

所在单位: 材料科学与工程学院

学科: 材料学. 功能材料化学与化工. 化学工程

办公地点: 材料楼330办公室

联系方式: 0411-84706595

电子邮箱: huang@dlut.edu.cn

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电迁移对Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu焊点界面反应的影响

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论文类型: 期刊论文

发表时间: 2012-03-11

发表刊物: 金属学报

收录刊物: SCIE、EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号: 48

期号: 03

页面范围: 321-328

ISSN号: 0412-1961

关键字: 电迁移;Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu;界面反应;金属间化合物

摘要: 研究了温度为150℃,电流密度为5.0×10~3A/cm~2的条件下电迁移对Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu焊点界面反应的影响.回流焊后在Sn3.0Ag0.5Cu/Ni和Sn3.0Ag0.5Cu/Cu的界面上均形成了(Cu,Ni)_6Sn_5型化合物.时效过程中界面化合物随时效时间增加而增厚,时效800 h后两端的化合物并没有发生转变,仍为(Cu,Ni)_6Sn_5型.电流方向对Cu基板的消耗起着决定作用.当电子从基板端流向芯片端时,电流导致基板端Cu焊盘发生局部快速溶解,并导致裂纹在Sn3.0Ag0.5Cu/(Cu,Ni)_6Sn_5界面产生,溶解到钎料中的Cu原子在钎料中沿着电子运动的方向向阳极扩散,并与钎料中的Sn原子发生反应生成大量的Cu_6Sn_5化合物颗粒.当电子从芯片端流向基板端时,芯片端Ni UBM层没有发生明显的溶解,在靠近阳极界面处的钎料中有少量的Cu_6Sn_5化合物颗粒生成,电迁移800 h后焊点仍保持完好.电迁移过程中无论电子的运动方向如何,均促进了阳极界面处(Cu,Ni)_6Sn_5的生长,阳极界面IMC厚度明显大于阴极界面IMC的厚度.与Ni相比,当Cu作为阴极时焊点更容易在

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