教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：博士
所在单位：材料科学与工程学院
学科：材料学
功能材料化学与化工
化学工程
办公地点：材料楼330办公室
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发布时间：2019-03-10
论文类型：期刊论文
发表时间：2016-06-01
发表刊物：中国有色金属学报（英文版）
收录刊物：EI、SCIE、CSCD、ISTIC
卷号：26
期号：6
页面范围：1663-1669
ISSN号：1003-6326
关键字：Sn-3.0Ag-0.5Cu;晶圆级芯片尺寸封装;焊点;跌落失效模式
摘要：依据 JEDEC 标准采用板级跌落实验研究晶圆级芯片尺寸封装 Sn?3.0Ag?0.5Cu 焊点的跌落失效模式。发现存在六种失效模式，即发生在印刷电路板(PCB)侧的短 FR-4裂纹和完全 FR-4裂纹，以及发生在芯片侧的再布线层(RDL)与 Cu 凸点化层开裂、RDL 断裂、体钎料裂纹及体钎料与界面金属间化合物(IMC)混合裂纹。对于最外侧的焊点，由于 PCB 变形量较大且 FR-4介质层强度较低，易于形成完全 FR-4裂纹，其可吸收较大的跌落冲击能量，从而避免了其它失效模式的发生。对于内侧的焊点，先形成的短 FR-4裂纹对跌落冲击能量的吸收有限，导致在芯片侧发生失效。
