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黄明亮
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教授   博士生导师   硕士生导师

性别: 男

毕业院校: 大连理工大学

学位: 博士

所在单位: 材料科学与工程学院

学科: 材料学. 功能材料化学与化工. 化学工程

办公地点: 材料楼330办公室

联系方式: 0411-84706595

电子邮箱: huang@dlut.edu.cn

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晶圆级芯片尺寸封装Sn-3.0Ag-0.5Cu 焊点跌落失效模式

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论文类型: 期刊论文

发表时间: 2016-06-01

发表刊物: 中国有色金属学报(英文版)

收录刊物: ISTIC、CSCD、SCIE、EI

卷号: 26

期号: 6

页面范围: 1663-1669

ISSN号: 1003-6326

关键字: Sn-3.0Ag-0.5Cu;晶圆级芯片尺寸封装;焊点;跌落失效模式

摘要: 依据 JEDEC 标准采用板级跌落实验研究晶圆级芯片尺寸封装 Sn?3.0Ag?0.5Cu 焊点的跌落失效模式。发现存在六种失效模式,即发生在印刷电路板(PCB)侧的短 FR-4裂纹和完全 FR-4裂纹,以及发生在芯片侧的再布线层(RDL)与 Cu 凸点化层开裂、RDL 断裂、体钎料裂纹及体钎料与界面金属间化合物(IMC)混合裂纹。对于最外侧的焊点,由于 PCB 变形量较大且 FR-4介质层强度较低,易于形成完全 FR-4裂纹,其可吸收较大的跌落冲击能量,从而避免了其它失效模式的发生。对于内侧的焊点,先形成的短 FR-4裂纹对跌落冲击能量的吸收有限,导致在芯片侧发生失效。

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