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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
学位：博士
所在单位：机械工程学院
学科：机械制造及其自动化
办公地点：机械学院大方楼5021
联系方式：djwudut@dlut.edu.cn 84707625
电子邮箱：djwudut@dlut.edu.cn
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激光弯曲过程对薄硅片伏安特性的影响
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论文类型：期刊论文
发表时间：2009-02-15
发表刊物：应用激光
收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD
卷号：29
期号：1
页面范围：10-13,33
ISSN号：1000-372X
关键字：薄硅片;激光弯曲;伏安特性
摘要：对不同加工参数下脉冲激光弯曲后的薄片硅材料的伏安特性进行了分析.通过对样品电流(I)-电压(V)特性的测量,研究了脉冲频率、扫描次数和扫描路径对薄硅片电学性质的影响.结果表明,在一定的加工参数范围内,通过降低脉冲频率,减少扫描次数,优化扫描路径都有利于降低弯曲硅片的电阻率.