吴东江
个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别:男
毕业院校:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
学位:博士
所在单位:机械工程学院
学科:机械制造及其自动化
办公地点:机械学院大方楼5021
联系方式:djwudut@dlut.edu.cn 84707625
电子邮箱:djwudut@dlut.edu.cn
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激光功率密度对Ge烧蚀蒸气动力学特性的影响
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论文类型:期刊论文
发表时间:2008-03-15
发表刊物:中国激光
收录刊物:EI、PKU、ISTIC、CSCD
卷号:35
期号:3
页面范围:462-465
ISSN号:0258-7025
关键字:激光技术;等离子体;数值模拟;脉冲激光烧蚀;晶体Ge
摘要:建立了一维半导体Ge激光烧蚀模型,对不同功率密度的紫外激光烧蚀半导体Ge的过程进行了模拟,并对计算结果进行了分析,得到激光功率密度对烧蚀过程以及蒸气膨胀动力学特性的影响.结果表明,激光功率密度的变化对烧蚀过程影响非常大.照射的激光功率密度越大,靶的表面温度越高,蒸发深度、烧蚀蒸气温度和膨胀的速度、相应蒸气膨胀的空间尺度也越大,且等离子体屏蔽现象出现得越早.在给定的烧蚀条件下,等离子体屏蔽的阈值在1×108~1.5×108 W/cm2之间.