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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2008-08-03
Journal:半导体技术
Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD
Volume:33
Issue:8
Page Number:649-653
ISSN No.:1003-353X
Key Words:热光伏;Ⅲ-Ⅴ族半导体;窄带
Abstract:部分Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体具有较窄的禁带宽度,对红外发射体的温度要求较低,非常适宜制备热光伏(TPV)电池.简要介绍热光伏系统的基本结构,讨论了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、InAsSbP几种主要窄带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的热光伏电池的研究情况,对它们的制备方法和主要性能参数进行了比较,分析了各自的优缺点,指出了我国热光伏技术的发展趋势.
