Hits:
Indexed by:会议论文
Date of Publication:2004-09-01
Page Number:1145-1147
Key Words:多孔InP 多孔硅 SEM 纳米阵列 电化学 刻蚀
Abstract:电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法.本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法.SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构.
Pre One:低电压并五苯晶体管的制备
Next One:电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列