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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2004-01-01
Journal:功能材料
Included Journals:PKU、ISTIC
Volume:35
Issue:z1
Page Number:1145-1147
ISSN No.:1001-9731
Key Words:电化学刻蚀;多孔InP;多孔硅;SEM
Abstract:电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法.本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法.SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构.
