location: Current position: Home >> Scientific Research >> Paper Publications

低电压并五苯晶体管的制北

Hits:

Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2004-01-01

Journal:功能材料

Included Journals:PKU、ISTIC

Volume:35

Issue:z1

Page Number:1361-1363

ISSN No.:1001-9731

Key Words:有机场效应晶体管;并五苯;物理气相沉积

Abstract:介绍了利用物理气相沉积的技术制备有机物并五苯场效应晶体管(OTFT)的方法.通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)对并五苯薄膜的分析,发现并五苯薄膜具有良好的表面形貌和晶体特性.其载流子迁移率达0.3cm2/Vs,并五苯晶体管具有低电压特性.

Pre One:电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列