教授 博士生导师 硕士生导师
性别: 男
毕业院校: 中科院半导体所
学位: 博士
所在单位: 物理学院
电子邮箱: aiminl@dlut.edu.cn
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论文类型: 期刊论文
发表时间: 2008-08-03
发表刊物: 半导体技术
收录刊物: PKU、ISTIC、CSCD
卷号: 33
期号: 8
页面范围: 649-653
ISSN号: 1003-353X
关键字: 热光伏;Ⅲ-Ⅴ族半导体;窄带
摘要: 部分Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体具有较窄的禁带宽度,对红外发射体的温度要求较低,非常适宜制备热光伏(TPV)电池.简要介绍热光伏系统的基本结构,讨论了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、InAsSbP几种主要窄带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的热光伏电池的研究情况,对它们的制备方法和主要性能参数进行了比较,分析了各自的优缺点,指出了我国热光伏技术的发展趋势.