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论文类型： 期刊论文

发表时间： 2008-08-03

发表刊物： 半导体技术

收录刊物： PKU、ISTIC、CSCD

卷号： 33

期号： 8

页面范围： 649-653

ISSN号： 1003-353X

关键字： 热光伏;Ⅲ-Ⅴ族半导体;窄带

摘要： 部分Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体具有较窄的禁带宽度,对红外发射体的温度要求较低,非常适宜制备热光伏(TPV)电池.简要介绍热光伏系统的基本结构,讨论了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、InAsSbP几种主要窄带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的热光伏电池的研究情况,对它们的制备方法和主要性能参数进行了比较,分析了各自的优缺点,指出了我国热光伏技术的发展趋势.