教授 博士生导师 硕士生导师
性别: 男
毕业院校: 中科院半导体所
学位: 博士
所在单位: 物理学院
电子邮箱: aiminl@dlut.edu.cn
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论文类型: 期刊论文
发表时间: 2004-01-01
发表刊物: 功能材料
收录刊物: PKU、ISTIC
卷号: 35
期号: z1
页面范围: 1145-1147
ISSN号: 1001-9731
关键字: 电化学刻蚀;多孔InP;多孔硅;SEM
摘要: 电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法.本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法.SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构.