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刘爱民
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教授   博士生导师   硕士生导师

性别: 男

毕业院校: 中科院半导体所

学位: 博士

所在单位: 物理学院

电子邮箱: aiminl@dlut.edu.cn

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电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列

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论文类型: 期刊论文

发表时间: 2004-01-01

发表刊物: 功能材料

收录刊物: PKU、ISTIC

卷号: 35

期号: z1

页面范围: 1145-1147

ISSN号: 1001-9731

关键字: 电化学刻蚀;多孔InP;多孔硅;SEM

摘要: 电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法.本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法.SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构.

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