氮气流量对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响
Release Time:2019-03-11 Hits:
Indexed by: Journal Article
Date of Publication: 2008-12-15
Journal: 半导体学报
Included Journals: CSCD、EI、Scopus
Volume: 29
Issue: 12
Page Number: 2376-2380
ISSN: 0253-4177
Key Words: ECR-PEMOCVD;GaN;低温沉积;玻璃衬底
Abstract: 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了高度C轴择优取向的多晶GaN薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED),X射线衍射(XRD)对样晶进行检测,研究了在低温(430℃)沉积中氮气流量对GaN薄膜结品性的影响.并且利用原子力显微镜(AFM)和室温光敏发光(PL)谱研究了薄膜的表面形貌和发光特性,发现薄膜表面形貌较为平整,其发光峰由较强的紫外近带边发光峰和极其微弱的绿光发光峰组成.