ZnO:Al衬底上低温生长GaN薄膜
Release Time:2019-03-10 Hits:
Indexed by: Journal Article
Date of Publication: 2010-04-15
Journal: 人工晶体学报
Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、EI
Volume: 39
Issue: 2
Page Number: 299-303
ISSN: 1000-985X
Key Words: 掺铝氧化锌衬底 GaN薄膜 低温生长
Abstract: 利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO:Al薄膜.采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO:Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜.利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响.