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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2010-04-15

Journal:人工晶体学报

Included Journals:EI、PKU、ISTIC、CSCD

Volume:39

Issue:2

Page Number:299-303

ISSN No.:1000-985X

Key Words:掺铝氧化锌衬底 GaN薄膜 低温生长

Abstract:利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO:Al薄膜.采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO:Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜.利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响.