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论文类型： 期刊论文

发表时间： 2008-01-01

发表刊物： 物理学报

收录刊物： SCIE、PKU、ISTIC、CSCD

卷号： 57

期号： 1

页面范围： 508-513

ISSN号： 1000-3290

关键字： GaMnN薄膜;稀磁半导体;铁磁性;居里温度

摘要： 利用电子回旋共振.等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法.采用二茂锰(Cp2Mn)作为Mn源,高纯氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为Ga源,在蓝宝石(α-A12 O3)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)表征了GaMnN薄膜的晶体结构和表面形貌.GaMnN薄膜均表现出良好的(0002)择优取向,表明制备的薄膜倾向于c轴方向生长,薄膜保持很好的纤锌矿结构.表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SOUID)用来表征薄膜的磁性.SQUID分析表明,薄膜呈铁磁性,铁磁性仅可能来源于三元相GaMnN,薄膜的居里温度高于350 K.而且,高Mn的含量可以提高薄膜的居里温度.