副教授 博士生导师 硕士生导师
其他任职：辽宁省能源材料及器件重点实验室副主任
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：博士
所在单位：材料科学与工程学院
学科：材料物理与化学
材料表面工程
办公地点：新三束4#楼311室
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发布时间：2019-03-10
论文类型：期刊论文
发表时间：2009-11-20
发表刊物：功能材料
收录刊物：Scopus、CSCD、ISTIC、PKU、EI
卷号：40
期号：11
页面范围：1836-1839
ISSN号：1001-9731
关键字：GaN;氮化;ECR-PEMOCVD;玻璃衬底
摘要：采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底氮化时间对GaN薄膜质量的影响.结果表明,氮化时间为5min时,得到的GaN薄膜呈高度c轴择优取向,结晶性较好,薄膜表面是由许多亚微米量级的表面岛按一致的取向规则堆砌而成的,薄膜表面较为平整且呈n型导电;氮化时间增加,薄膜结晶性反而变差.
