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论文类型： 期刊论文

发表时间： 2009-09-20

发表刊物： 功能材料

收录刊物： Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号： 40

期号： 9

页面范围： 1473-1476

ISSN号： 1001-9731

关键字： (Ga,Mn)N;ECR-PEMOCVD;室温铁磁性;居里温度

摘要： 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出Mn含量约为3%的(Ga,Mn)稀磁半导体薄膜.利用反射高能衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)表征(Ga,Mn)N薄膜的表面形貌和结构特征.(Ga,Mn)N薄膜具有良好的(0002)择优取向和纤锌矿结构,表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成.光致发光(PL)测量发现3.27eV附近出现施主-受主对(DAP)发光峰.超导量子干涉仪(SQUID)测量表明薄膜在室温下具有铁磁性,没有发现超顺磁性和自旋玻璃态,居里温度可达400K.