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论文类型： 期刊论文

发表时间： 2010-08-15

发表刊物： 半导体光电

收录刊物： Scopus、PKU、ISTIC、CSCD

卷号： 31

期号： 4

页面范围： 557-562

ISSN号： 1001-5868

关键字： GaN;低温沉积;玻璃衬底;铝薄膜;ECR-PEMOCVD

摘要： 采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在镀铝玻璃衬底上沉积了GaN薄膜.RHEED和XRD分析显示,适当增加TMGa流量,薄膜呈现高度c轴择优取向特征;SEM表明,随着TMGa流量增加,薄膜表面逐渐平整致密;对Raman光谱中A1(TO)、E1(TO)两个禁戒模式及281.1 cm-1附近宽峰出现的原因进行了探讨,并对E2(high)、A1(LO)模的低频移动进行了分析,分析认为E2(high)模低频移动是薄膜内应力和晶粒尺寸效应共同作用的结果,同时晶粒尺寸效应还导致了A1(LO)模的低频移动.