副教授 博士生导师 硕士生导师
其他任职：辽宁省能源材料及器件重点实验室副主任
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：博士
所在单位：材料科学与工程学院
学科：材料物理与化学
材料表面工程
办公地点：新三束4#楼311室
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发布时间：2019-03-10
论文类型：期刊论文
发表时间：2010-08-15
发表刊物：半导体光电
收录刊物：CSCD、ISTIC、PKU、Scopus
卷号：31
期号：4
页面范围：557-562
ISSN号：1001-5868
关键字：GaN;低温沉积;玻璃衬底;铝薄膜;ECR-PEMOCVD
摘要：采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在镀铝玻璃衬底上沉积了GaN薄膜.RHEED和XRD分析显示,适当增加TMGa流量,薄膜呈现高度c轴择优取向特征;SEM表明,随着TMGa流量增加,薄膜表面逐渐平整致密;对Raman光谱中A1(TO)、E1(TO)两个禁戒模式及281.1 cm-1附近宽峰出现的原因进行了探讨,并对E2(high)、A1(LO)模的低频移动进行了分析,分析认为E2(high)模低频移动是薄膜内应力和晶粒尺寸效应共同作用的结果,同时晶粒尺寸效应还导致了A1(LO)模的低频移动.
