Low Al-composition p-GaN/Mg-doped Al0.25Ga0.75N/n(+)-GaN polarization-induced backward tunneling junction grown by metal-organic chemical vapor deposition on sapphire substrate
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发表时间：2022-10-03
发表刊物：Scientific Reports
所属单位：微电子学院
卷号：4
页面范围：6322
ISSN号：2045-2322
