大连理工大学主页平台管理系统杨超 Crack-free Al0.5Ga0.5N epilayer grown on SiC substrate by in situ SiNx interlayer 中文主页

杨超

工程师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：博士
所在单位：物理学院
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Crack-free Al0.5Ga0.5N epilayer grown on SiC substrate by in situ SiNx interlayer

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发布时间：2022-10-06

发表时间：2022-10-06

发表刊物：MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING

所属单位：光电工程与仪器科学学院

卷号：41

页面范围：291-296

ISSN号：1369-8001

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