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个人信息Personal Information
副教授
硕士生导师
性别：男
毕业院校：吉林大学
学位：博士
所在单位：光电工程与仪器科学学院
办公地点：大连理工大学 厚望楼 401室
电子邮箱：jianxundai@dlut.edu.cn
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Performance improvement of enhancement-mode GaN-based HEMT power devices by employing a vertical gate structure and composite interlayers
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发表刊物：SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
卷号：39
期号：5
ISSN号：0268-1242
关键字：ALGAN/GAN MIS-HEMTS; DEGRADATION; SI