Release Time:2019-03-12  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2002-01-01

Journal: 电子显微学报

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU

Volume: 21

Issue: 1

Page Number: 43-51

ISSN: 1000-6281

Key Words: 半导体薄膜; 金属硅化物; 离子注入; 透射电子显微镜

Abstract: 本文利用透射电子显微镜对离子注入合成的beta-FeSi_2和beta-Fe(C,Si)_2薄膜进行了对比研究。电镜观察结果表明，选择C作为掺杂
   无素，能够得到界面平直、厚度均一的高质量beta相薄膜，晶粒得到细化，beta-FeSi_2层稳定性提高。尤其在60kV、4 * 10~(17)
   ions/cm~2条件下注入直接形成非晶，在退火后会晶化为界面平滑、厚度均匀的beta-FeSi_2薄膜。因此从微结构角度考虑，引入C离子有益于
   提高beta-FeSi_2薄膜的质量。