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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2002-01-01

Journal:电子显微学报

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD

Volume:21

Issue:1

Page Number:43-51

ISSN No.:1000-6281

Key Words:半导体薄膜; 金属硅化物; 离子注入; 透射电子显微镜

Abstract:本文利用透射电子显微镜对离子注入合成的beta-FeSi_2和beta-Fe(C,Si)_2薄膜进行了对比研究。电镜观察结果表明，选择C作为掺杂
   无素，能够得到界面平直、厚度均一的高质量beta相薄膜，晶粒得到细化，beta-FeSi_2层稳定性提高。尤其在60kV、4 * 10~(17)
   ions/cm~2条件下注入直接形成非晶，在退火后会晶化为界面平滑、厚度均匀的beta-FeSi_2薄膜。因此从微结构角度考虑，引入C离子有益于
   提高beta-FeSi_2薄膜的质量。