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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2002-01-01

Journal:真空科学与技术学报

Included Journals:Scopus、EI、CSCD

Volume:22

Issue:5

Page Number:349-356

ISSN No.:0253-9748

Key Words:X射线衍射; 半导体薄膜; 金属硅化物; 离子注入; 透射电子显微镜

Abstract:本文利用X射线衍射和透射电子显微镜对离子注入合成的beta－Fe(C,Si)2薄膜进行了研究，对掺杂C前后样品的对比研究表明，选择C作为掺杂元素
   ，能够得到界面平直，厚度均一的高质量beta相薄膜，晶粒得到细化，beta－FeSi2层稳定性提高，因此从微结构角度考虑，引入C离子对于提高be
   ta－FeSi2薄膜的质量是很有益处的，进一步进行光学吸收表征，发现C离子的引入对beta层的Eg^d值没有产生明显影响，所以综合来说C离子的引
   入有利于得到高质量的beta－FeSi2薄膜，用掠入射X射线衍射和Celref程序精确地测量薄膜的晶格常数，当C／Fe的剂量比为0．5％时，尽管
   C的原子半径比Si的小，beta相晶格却膨胀了，这可能是由于间隙固溶的原因，进一步增加掺杂量到一定的程度时，单胞体积会缩小，这是由于形成了置换固
   溶体，碳置换了beta单胞中的部分硅。