点击次数：

论文类型：期刊论文

发表时间：2002-01-01

发表刊物：材料热处理学报

收录刊物：ISTIC

卷号：23

期号：3

页面范围：59-64

ISSN号：1009-6264

关键字：近似重位点;取向关系(OR);β-FeSi2半导体薄膜;离子注入;透射电子显微镜

摘要：利用近似重位点原理研究了离子注入法制备的β-FeSi2半导体薄膜和Si基体之间的取向关系(OR).透射电子显微镜分析结果表明膜基之间最常见的取向关系为(200)β//(200)si,[010]β//[011]Si但是该平行关系并不精确满足.对β-FeSi2/Si的最佳取向的理论计算结果表明β-FeSi2和Si要在上述取向关系基础上经过三维小角度旋转调整后才能达到最佳取向,此时β-FeSi2和Si中不存在严格平行的晶面,因而在Si基体上生长高质量的β-FeSi2单晶薄膜存在本质困难;计算结果还表明掺杂C离子后β-FeSi2晶格常数的微量调整对最佳取向关系影响不大;当β-FeSi2和Si处于最佳取向时,它们之间可能的最佳界面是(001)β//(0 22)Si或(110)β//(111)Si.