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论文类型：期刊论文

发表时间：2008-01-01

发表刊物：物理学报

收录刊物：SCIE、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：57

期号：1

页面范围：392-397

ISSN号：1000-3290

关键字：强流脉冲电子束;堆垛层错四面体;单晶铝;空位簇缺陷

摘要：利用强流脉冲电子束技术对单晶铝进行了辐照,并利用透射电镜对强流脉冲电子束诱发的空位簇缺陷进行分析.实验结果表明,强流脉冲电子束能够诱发位错圈、孔洞甚至堆垛层错四面体这种通常在高层错能金属中不能形成的空位簇缺陷,并且三种不同类型的空位簇缺陷的形核过程并不同时发生,三种空位簇缺陷存在着密切的关系.根据实验结果提出了堆垛层错四面体形成与生长机理.