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论文类型：期刊论文

发表时间：2007-11-03

发表刊物：半导体技术

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD

卷号：32

期号：11

页面范围：957-960

ISSN号：1003-353X

关键字：化学机械抛光;材料去除机理;高分子材料;抛光垫;表面特性

摘要：研究抛光垫表面特性有利于了解和分析硅片化学机械抛光(CMP)材料的去除机理及优化抛光垫的微观结构.使用ZYGO 5022轮廓仪、SEM等仪器研究了IC1000/SubaIV平抛光垫表面粗糙度、表面组织结构、孔隙率、微孔深度及直径、抛光垫表面微凸峰分布形式及面积支承率,测量和计算的结果:抛光垫表面粗糙度为σP(RMS)=6.8μm,均方根粗糙度9.4μm,表面孔隙率为56%,平均孔径为36μm,平均孔深为20μm,平均孔距为43μm,微孔数量为550个/mm2,抛光垫表面微凸峰高度服从高斯分布.