点击次数：

论文类型：期刊论文

发表时间：2003-09-23

发表刊物：半导体技术

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD

卷号：28

期号：9

页面范围：33-38,51

ISSN号：1003-353X

关键字：硅片;背面减薄;磨削;IC封装

摘要：集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术,论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术,介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。