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论文类型：期刊论文

发表时间：2005-05-30

发表刊物：中国机械工程

收录刊物：CSCD、ISTIC、PKU、Scopus

卷号：16

期号：10

页面范围：896-901

ISSN号：1004-132X

关键字：甚大规模集成电路;化学机械抛光;化学机理;抛光液

摘要：对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺--铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论.着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和相关的影响因素;根据现有的研究成果主要介绍了铜化学机械抛光的化学材料去除机理;在分析抛光液组成成分的基础上,总结了现有的以H2O2为氧化剂的抛光液和其他酸性、碱性抛光液以及抛光液中腐蚀抑制剂的研究情况;指出了铜化学机械抛光今后的研究重点.