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论文类型：期刊论文

发表时间：2008-08-15

发表刊物：光学精密工程

收录刊物：Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：16

期号：8

页面范围：1440-1445

ISSN号：1004-924X

关键字：单晶硅片;磨削;相变

摘要：为揭示硅片自旋转磨削加工过程中材料的去除机理,采用显微拉曼光谱仪研究了硅片磨削表面的相变.结果表明:半精磨和精磨硅片表面存在α-Si相、Si-Ⅲ相、Si-Ⅳ相和Si-Ⅻ相,这表明磨削过程中Si-Ⅰ相发生了高压金属相变(Si-Ⅱ相).Si-Ⅱ相容易以塑性方式去除.粗磨硅片表面没有明显的多晶硅,只有少量的非晶硅出现,材料以脆性断裂方式去除.从粗磨到精磨,材料去除方式由脆性断裂去除向塑性去除过渡.粗磨向半精磨过渡时,相变强度越大,材料的塑性去除程度越大;半精磨向精磨过渡时,相变强度越小,材料的塑性去除程度越大.