点击次数：

论文类型：期刊论文

发表时间：2009-05-15

发表刊物：纳米技术与精密工程

收录刊物：Scopus、EI、ISTIC、CSCD

卷号：7

期号：3

页面范围：265-269

ISSN号：1672-6030

关键字：化学机械抛光;材料去除机理;材料去除率;磨损行为

摘要：为了掌握化学机械抛光(CMP)过程中硅片表面材料的去除行为,根据CMP过程中硅片表面材料的磨损行为,建立了硅片CMP时的材料去除率构成成分模型,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除率实验,得出了机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率.结果显示,机械与化学的交互作用率为85.7%～99.1%.磨粒的机械作用卒为69.5%～94.0%,磨粒的机械与化学交互作用率为55.1%～93.1%.由此可见,磨粒的机械作用是化学机械抛光中的主要机械作用,磨粒与抛光波的机械化学交互作用引起的材料去除率是主要的材料去除率.研究结果可为进一步研究硅片CMP时的材料去除机理提供理论参考依据.