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论文类型：期刊论文

发表时间：2006-03-30

发表刊物：半导体学报

收录刊物：EI、CSCD

卷号：27

期号：3

页面范围：506-510

ISSN号：0253-4177

关键字：硅片;亚表面损伤;角度抛光;缺陷腐蚀;劈尖于涉

摘要：提出了一种改进的角度抛光方法来测量硅片的亚表面损伤.其原理是:经过研磨和化学机械抛光后,起保护作用的陪片靠近胶黏剂的一端形成一个无损伤的、完整的劈尖,劈尖的棱边作为测量亚表面损伤的基准;角度抛光的倾斜角可通过劈尖上面产生的干涉条纹准确地测量得到.采用这种方法可以方便、准确地测量硅片由切割、研磨和磨削引起的亚表面损伤,其能够测量的最小损伤深度为几百纳米.