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论文类型：期刊论文

发表时间：2012-09-25

发表刊物：材料导报

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD

卷号：26

期号：18

页面范围：142-147

ISSN号：1005-023X

关键字：第一性原理;Sb掺杂GaAs;电子结构;光学性质

摘要：采用基于密度泛函理论( DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了不同浓度Sb掺杂闪锌矿G-aAs体系GaAs1xSbx(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的电子结构和光学性质,包括能带、态密度、复介电函数和吸收系数.计算结果表明,Sb掺杂导致体系晶格常数线性增大,并使得体系导带和价带组成发生改变,禁带宽度呈二次多项式变化.随着掺杂浓度的增加,体系静态介电常数线性增大,吸收带边出现了明显的红移现象.分析了掺杂Sb诱发GaAs1-xSbx体系的电子和光学性质改变,为Sb掺杂闪锌矿GaAs在光电子学和微电子学方面的实际应用提供了一定的理论依据.