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论文类型：期刊论文
发表时间：2011-02-15
发表刊物：发光学报
收录刊物：Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD
卷号：32
期号：2
页面范围：154-158
ISSN号：1000-7032
关键字：As掺杂;ZnO纳米线阵列;化学气相沉积;光致发光
摘要：在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列.样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量.场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,As掺杂ZnO纳米线阵列具有均一的直径和长度,其顶部和根部直径分别为70 nm和100nm,长度约为1.5 μm.此外,在能量色散谱(EDS)中观测到了As元素的存在.在低温(11 K)光致发光谱中还观测到了与As掺杂相关的中性受主束缚激子发光(A0X),证实As元素作为受主掺杂进入ZnO晶格.As掺杂ZnO纳米线的成功制备为ZnO基纳米光电器件的实现提供了一种可行的p型掺杂方法.