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发布时间：2019-03-11
论文类型：期刊论文
发表时间：2011-03-15
发表刊物：无机材料学报
收录刊物：EI、SCIE、Scopus、CSCD、ISTIC、PKU
卷号：26
期号：03
页面范围：332-336
ISSN号：1000-324X
关键字：ZnO纳米棒阵列;水热法;光致发光谱;X射线吸收近带边谱
摘要：使用低温水热法在Si衬底上生长ZnO纳米棒阵列.通过X射线衍射和扫描电子显微镜对ZnO纳米棒的结晶性和形貌进行观测.结果表明,六棱柱形ZnO纳米棒沿c轴方向的阵列性良好,且均匀致密的生长在衬底上.室温光致发光谱表明应用低温水热法可以得到光学性质良好的ZnO纳米棒阵列.使用同步辐射对ZnO纳米棒阵列的氧K带边进行X射线吸收近带边谱测量,研究了不同半径ZnO纳米棒阵列的局部电子结构及其半径对电子结构的影响.另外,对ZnO纳米棒及ZnO薄膜的局部电子结构进行了对比研究.