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论文类型：会议论文
发表时间：2011-11-04
页面范围：34-34
摘要：　　我们采用低压MOCVD制作了n-ZnO/p-GaN和n-ZnO/Ga2O3/p-GaN异质结发光二极管。相对于n-ZnO/p-GaN来说，采用Ga2O3做载流子阻挡层的器件表现出良好的紫外发光，且深能级发光受到明显抑制。我们采用了Anderson模型从能级角度解释了这一现象，发现Ga2O3能有效地把电子阻挡在ZnO层，同时p-GaN中的空穴则不受到阻挡，能够穿过该层进入ZnO并在其中发生辐射复合。