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论文类型：会议论文
发表时间：2011-11-04
页面范围：78-78
摘要：　　ZnO作为一种宽带隙(3.37eV)半导体材料，在室温下具有较高的激子束缚能(60meV)，现已在发光二极管和激光器件等领域进行了广泛研究.由于缺乏p型ZnO材料，所以通常采用与ZnO结构、带隙宽度相类似的p-GaN制备ZnO发光管.为了实现ZnO层发光，我们分别制备了含有电子阻挡层p-Al0.4Ga0.6N结构的和具有梯度的p-AlxGa1-xN(x from 0 to 0.4)结构的p-GaN/n-ZnO发光二极管.