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论文类型：会议论文
发表时间：2012-04-11
页面范围：82-82
关键字：GaN;bow;弯曲度;主波长;外延层;光学性能;MOCVD;薄膜生长;残余应力;从一;
摘要：利用LP-MOCVD在三片具有不同弯曲度(bow)值的蓝宝石衬底上生长GaN基LED芯片全结构,测量了不同衬底bow值的全结构芯片的主要光学和电学参数,并分析了不同衬底bow值对LED芯片的各个光学和电学参数的影响。公式计算的结果表明:随着薄膜生长前衬底bow值从-2.02μm到-6.77μm再到-9.21μm的逐渐增加(符号仅表示方向),生长完成后外延层中的残余应力明显减小,芯片的电学和光学性能逐渐变好,主波长逐渐蓝移。