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论文类型：会议论文
发表时间：2012-04-11
页面范围：83-83
关键字：GaN;LED;外延结构;超晶格;有源层;MOCVD;外延片;光功率;蓝宝石衬底;深层机制;
摘要：实验利用MOCVD设备在c面蓝宝石衬底上生长了不同结构LED外延片:在有源层前添加超晶格(SLs)掺入层的样品A和未添加SLs的样品B。样品制成标准芯片进行测量。样品B的光功率在20mA下为7.28mW,明显大于样品A的6.44mW;在去坏点测试中B芯片的性能参数也大幅优于A芯片,在4000V条件下B芯片的通过率为62%,