点击次数：
论文类型：期刊论文
发表时间：2011-09-15
发表刊物：发光学报
收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus
卷号：32
期号：9
页面范围：956-961
ISSN号：1000-7032
关键字：Cu掺杂ZnO;MOCVD;蓝紫光发射峰;光致发光
摘要：通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,在c-Al2 03衬底上生长本征和Cu掺杂ZnO( ZnO∶ Cu)薄膜.X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO和ZnO∶ Cu样品都呈现出较好的c轴择优取向生长.X射线光电子能谱(XPS)表明Cu已掺入到ZnO薄膜中.利用光致发光(PL)测试对本征ZnO和ZnO∶ Cu进行室温和低温PL测试,在ZnO∶ Cu样品的低温PL谱中观察到一个强度很强、范围很广的蓝紫光发射峰(Blue-violet 发射峰,BV发射峰),范围在2.8～3.3 eV之间,又进一步通过变温PL测试发现随着温度的升高,BV发射峰峰位发生红移,且80 K时BV发射峰高能边出现自由电子向受主能级(eA0)的跃迁发光,并计算了Cu受主离化能.