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论文类型：期刊论文
发表时间：2007-01-01
发表刊物：无机材料学报
收录刊物：SCIE、EI、PKU、ISTIC、CSCD
卷号：22
期号：1
页面范围：173-175
ISSN号：1000-324X
关键字：ZnO薄膜;同质p-n结;电致发光;超声喷雾热分解
摘要：采用超声喷雾热解法在单晶GaAs(100)衬底上生长ZnO同质p-n结.以醋酸锌水溶液为前驱体,分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源,通过氮-铟(N-In)共掺杂沉积p型ZnO薄膜,以未故意掺杂的ZnO薄膜做为n型层获得ZnO基同质p-n结.采用热蒸发工艺在ZnO层和GaAs衬底上分别蒸镀Zn/Au和Au/Ge/Ni电极而获得发光二极管原型器件,在室温下发现了该器件正向电流注入下的连续发光现象.