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论文类型：期刊论文

发表时间：2004-06-25

发表刊物：功能材料与器件学报

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD

卷号：10

期号：2

页面范围：145-150

ISSN号：1007-4252

关键字：反应射频磁控溅射 ZrO2薄膜 沉积速率 表面粗糙度

摘要：采用反应射频(RF)磁控溅射法在n型(100)单晶Si基片上沉积了ZrO2薄膜,研究了氧分压与ZrO2薄膜的表面粗糙度和沉积速率、SiO2中间界层的厚度以及ZrO2薄膜的折射率之间关系.结果表明:随着氧分压增高,薄膜的沉积速率降低,表面粗糙度线性地增加;在低的氧分压情况下,Si基片表面的本征SiO2层的厚度增加幅度较小,在高的氧分压情况下,Si基片表面的本征SiO2层的厚度有较大幅度地增加;在O2/Ar混和气氛下,溅射沉积的ZrO2薄膜的折射率受氧分压的影响不显著,而在纯氧气气氛环境下,ZrO2薄膜的折射率明显偏低,薄膜的致密性变差.