一种测量Si/SiO<,2>界面残余应力的微结构应变计
点击次数：
论文类型：会议论文
发表时间：2002-01-01
页面范围：122-123
关键字：二氧化硅 残余应力 微应变计 硅片 测试方法
摘要：借鉴工程力学中测量残余应力的盲孔法,给出了一种测量半导体氧化工艺中形成的硅一二氧化硅界面残余应力的微结构应变计,并对其测量结果作了讨论.
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关键字：二氧化硅 残余应力 微应变计 硅片 测试方法
摘要：借鉴工程力学中测量残余应力的盲孔法,给出了一种测量半导体氧化工艺中形成的硅一二氧化硅界面残余应力的微结构应变计,并对其测量结果作了讨论.