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1700-V Enhancement-Mode MIS-HEMTs With Fully Recessed-Gate on 6-in GaN-on-Si Wafer

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发布时间：2026-10-13

论文类型：期刊论文

论文编号：609630

发表时间：2026-01-01

发表刊物：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

ISSN号：0018-9383

关键字：RELIABILITY; SURFACE

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