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High-voltage normally off GaN-based MIS-HEMTs featuring rounded gate sidewalls

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发布时间：2026-10-13

论文类型：期刊论文

论文编号：609098

发表时间：2026-09-21

发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS

卷号：129

期号：12

ISSN号：0003-6951

关键字：DEVICES; POWER

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