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发布时间：2019-03-11

论文类型：期刊论文

发表时间：2007-06-15

发表刊物：核聚变与等离子体物理

收录刊物：CSCD、ISTIC、PKU、Scopus

卷号：27

期号：2

页面范围：163-167

ISSN号：0254-6086

关键字：椭偏仪;非晶碳氢膜;沉积;刻蚀;光学参数

摘要：利用在线椭偏仪对非晶碳氢膜进行了光学常数、沉积率和刻蚀率的测量.在无直流负偏压或偏压较小时,薄膜呈现聚合物结构,折射率和消光系数较小;当增加直流负偏压时,薄膜的折射率和消光系数显著提高,所成膜为硬质非晶碳氢膜.在以CH4作为气源进行沉积时,随着偏压的增加,沉积率先升高再降低,在偏压为-100V时,沉积率为最大.H2/N2(30%N2)的混合气体的刻蚀率要比单独用H2作为刻蚀气体的刻蚀率要大.对于CH4/N2(30%N2),在偏压从0V增加到300V过程中,在大约50V时,基底上的薄膜有一个从沉积到刻蚀的转化过程.